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近些年半導體、ALD蓬勃發展，臭氧被電子工業用于形成 CVD 和 ALD 薄膜、氧化物生長、光刻膠去除和多種清潔應用。我們介紹幾款能滿足半導體行業用的臭氧發生器。
1、美國SEMOZON® AX8415
SEMOZON® AX8415 是 MKS 開發的具創新性和多功能性的臭氧發生器。該臭氧發生器的新穎結構和 電池設計可產生高清潔、高濃度、高流量的臭氧，將氧氣轉化為 >400 g/Nm3 的高濃度臭氧，適用于半導體、平板顯示器和光伏行業的前沿應用。
特點
在 5°C @ 2.5 slm 時臭氧濃度高達 425 g/Nm3 或 27.1 wt%
從 2.5 slm 到 50 slm 的 O2 流量可實現工藝靈活性
獲得 的電池設計可產生高濃度臭氧
在添加或不添加氮氣的情況下運行
閉環操作可實現更嚴格的過程控制
水冷
2、日本住友GRG臭氧發生器
日本住友GRG臭氧發生技術應用于滿足飲用水和廢水處理設施、游泳池和水族館以及工業用水、廢水和再生水的工業設施的水處理需求水。此外，已將相同的技術應用于化學品制造商、半導體制造商和 LCD 制造商等的生產過程中。
特點
· 無氮摻雜超凈臭氧無二氧化氮(NO)
· 高濃度400g/m2(N)[25.6wt%]
· 穩定的臭氧濃度
· 體積小、重量輕 放電單元和動力單元在一個單元內
· 耐高壓0.5MPa（工作壓力：0.15MPa）
· CE、 NRTL、 SEMI S2 兼容應用
· ALD· 光刻膠條
· LPCVD· 濕法清洗· SOM
水冷
3、加拿大Absolute Ozone® ATLAS 30
Absolute Ozone® 臭氧發生器由于獨特的優雅設計，利用微流體平臺技術和出色的耐用性，所有風冷式 Absolute Ozone® 發生器都能可靠地為各種特殊應用提供超純、高濃度的臭氧。其性能在業界能夠可靠地產生高達 16% 重量的高濃度臭氧。
特點
在添加或不添加氮氣的情況下運行
濃度（重量百分比 O3）：200mg/L（5 -20wt%）
工作壓力：15-35Psig
氣體流量：0.1 - 4 slpm
風冷，將臭氧發生器放置在通風良好且不受天氣因素影響的區域
藥物合成
ALD
4、美國 IN USA OG-5000 臭氧發生器
OG-5000系列臭氧發生器是為滿足半導體工業中對高濃度潔凈臭氧的需求而設計的，可應用于化學氣相沉積、原子層沉積、氧化物生長和濕法處理過程中。
特點
濃度（重量百分比 O3）：超200mg/L（5 -20wt%）
用于摻雜的氮氣 級別五或更高 (僅0.5%)
進氣流量 0.5 到 20 slpm
臭氧出口壓力 15 到 40 psig
化學氣相沉積 (CVD)
原子層沉積 (ALD)
氧化物生長
表面處理
水冷
5、瑞典Primozone GM1-4 2.0
Primozone GM1-4 2.0 高性能臭氧發生器基于 Primozone 的 技術。一種可實現可靠臭氧生產的技術，具有低能耗和出色的生命周期成本。高性能臭氧發生器基于 Primozone 的 技術。一種可實現可靠臭氧生產的技術，具有低能耗和出色的生命周期成本。
特點
進氣氧氣> 94%, N2 < 1%
可產生濃度高達 300 g /m³ 臭氧（相當于 20% 重量）
絕對氣壓為 3 bar / 43.5 psi
每臺發電機都有一個集成的控制系統，提供安全、監控和控制。
模塊化設計使發電機可靠且易于維護。
以上5款為半導體行業常用的高濃度臭氧發生器，如果還想了解更多信息，可以聯系同林。
文章來源：https://www.tonglin.cn/changshi/589.html
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標簽:臭氧發生器(61)ALD(5)半導體(2)品牌(1)
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